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無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱

無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱

簡(jiǎn)要描述:

無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱在半導體集成電路制造過(guò)程中,晶圓表面預處理、涂膠、曝光前后的烘焙即曝光后烘烤(Post Exposure Bake,PEB)、對準、顯影、顯影后烘焙等因素都會(huì )對光刻工藝效果帶來(lái)顯著(zhù)影響

無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱的重要性

  在半導體集成電路制造過(guò)程中,晶圓表面預處理、涂膠、曝光前后的烘焙即曝光后烘烤(Post Exposure Bake,PEB)、對準、顯影、顯影后烘焙等因素都會(huì )對光刻工藝效果帶來(lái)顯著(zhù)影響。更重要的是晶圓曝光后烘烤溫度的變化會(huì )影響終成像的光刻特征尺寸,因此光刻工藝中曝光后烘烤條件溫度的選取顯得尤為重要。然而在高溫烘烤時(shí)防氧化更為重要。

無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱主要用途

   無(wú)氧烘箱用半導體集成電路制造中的封裝,堅膜,老化等工藝。PI、BCB膠高溫固化烘烤、光刻膠固化工藝要求,適用于觸摸屏、晶圓、LED、PCB板、ITO玻璃等.

無(wú)氧化烘箱技術(shù)性能

內部大?。篧350mm×D350mm×H350mm,W600mm×D600mm×H600mm可定制

材料:外部采用優(yōu)質(zhì)冷軋板噴塑,內部采用優(yōu)質(zhì)耐高溫SUS304不銹鋼

溫度指標:50-300、450℃

溫度分辨率: 0.1℃

波動(dòng)度:<±1.0℃

均勻度:≤±1.5%

潔凈度: class 100,可選配

升溫速度:0-10℃/min

降溫速度:依降溫配置而定

氧濃度:≤ 20ppm 

操作方式:人機交互;

控制:曲線(xiàn)升降溫模式

控溫儀表:進(jìn)口溫控儀

控溫段數:23×20段

測溫裝置:高精度熱電偶

超溫保護:獨立限溫保護

檢測點(diǎn)數:6點(diǎn)檢測,記錄儀

氮氣控制:裝有雙通道可調式氮氣流量計,全程通氮氣

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