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RTP快速退火爐,半導體工藝快速熱處理設備

RTP快速退火爐,半導體工藝快速熱處理設備

簡(jiǎn)要描述:

RTP快速退火爐,快速熱處理設備(RTP)簡(jiǎn)介
快速熱處理設備(RTP)可用于砷化鎵、硅以及其他半導體材料,離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火爐,快速熱處理設備(RTP)具有快速升降溫、慢速升降溫、和長(cháng)工作時(shí)間穩定等特點(diǎn)。也可用于各種半導體材料的CVD工藝的熱處理。

RTP快速退火爐,快速熱處理設備(RTP)簡(jiǎn)介
    快速熱處理設備(RTP)可用于砷化鎵、硅以及其他半導體材料,離子注入后的退火、硅化物的形成、歐姆接觸制備以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP快速退火爐,快速熱處理設備(RTP)具有快速升降溫、慢速升降溫、和長(cháng)工作時(shí)間穩定等特點(diǎn)。也可用于各種半導體材料的CVD工藝的熱處理。
RTP快速退火爐,快速熱處理設備(RTP)主要技術(shù)指標
  l、外形尺寸:550×650×650mm(長(cháng)×寬×高)
  2、爐內體尺寸:327×249×123mm(長(cháng)×寬×高)
   3、工作室采用進(jìn)口GE石英,外徑尺寸:290×230×24mm(長(cháng)×寬×高);表面進(jìn)行磨砂處理
  4、不銹鋼反應室上下反射面聚焦設計,內表面采用鍍金處理,減小熱損失,極大提高了反射效率
  5、水冷卻,確保燈箱散熱與快速降溫
  6、風(fēng)扇冷卻保證加熱燈的冷卻
  7、zui大溫度范圍150℃—1000℃,K型熱電偶
  8、升溫速率:0.01—100℃/s可預設定
  9、氣體:兩路美國進(jìn)口浮子流量計控制,流量:0—5L/min
  10、采用歐陸2604高精度溫控儀控制溫度
  11、快速熱處理設備(RTP)可編程多條溫度曲線(xiàn)
  l2、雙閉環(huán)控制溫度,穩態(tài)溫度穩定性±1℃
  l3、光源:1200W×21只鹵鎢燈
  l4、電源:AC380V;63A三相
  l5、有效加熱區:180×180mm
  l6、石英承片架Ф160mm;配6英寸硅片承片板
 

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