HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的方法與優(yōu)點(diǎn)

HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的重要性

  半導體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個(gè)工藝環(huán)節，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì )侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。智能型HMDS真空系統將HMDS 涂到半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起著(zhù)偶聯(lián)劑的作用。

HMDS六甲基二硅胺烷成底膜的方法：

（1）浸潤分滴和旋轉。浸潤分滴和旋轉的方法常用于單個(gè)硅片的處理。溫度和用量容易控制，但需要排液和排氣裝置。缺點(diǎn)是HMDS消耗量較大及對人體傷害的問(wèn)題。

（2）噴霧分滴和旋轉。噴霧的方法是用一噴霧器在晶圓片表面噴一層細微的 HMDS，這種方法的優(yōu)點(diǎn)是有助于晶圓片表面顆粒的去除，但同樣存在消耗量較大的問(wèn)題及對人體傷害的問(wèn)題。

（3）氣相成底膜是常用的方法，通常在120～150℃下完成。氣相成底膜的優(yōu)點(diǎn)是由于沒(méi)有與硅片的接觸減少了來(lái)自液體 HMDS 顆粒沾污的可能，并且HMDS 的消耗量也最少。氣相成底膜的溫度與烘焙溫度接近，因此在實(shí)際操作中也常將二者結合起來(lái)使用